6 Stück Irfp260n N-kanal-mosfet-transistor 50a 200v To-247 Ac

HEXFET der fünften Generation von International Rectifiers Fortschrittliche Fertigungstechniken erzielen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumzone Dieser Vorteil, kombiniert mit der hohen Schaltgeschwindigkeit und der robusten Bauweise des HEXFET-Bauelements, ermöglicht eine Betriebstemperatur von 175 °C Die bewährte MOSFET-Technologie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für vielfältige Anwendungen Das TO-247-Gehäuse ist dem älteren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Befestigungsbohrung überlegen.