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Original Importierter Fqpf5n60c N-kanal-mosfet, 5 A, 600 V, 33 W, 2,5 Ω, To-220f-gehäuse, Vollständig Getestet Und Sofort Einsatzbereit.
EAN 9082287064723
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| Original importierte Qualität | Dieser FQPF5N60C-Transistor stammt aus importierten Originalteilen und garantiert die Qualität von ON Semiconductor, die generischen Nachbauten weit überlegen ist. Er behält seine ursprüngliche Hochspannungs- und Stromleistung für zuverlässige Industrie- und Leistungsanwendungen bei. Strenge Prüfung aller Parameter: Jedes Bauteil wird einer umfassenden elektrischen Prüfung unterzogen, einschließlich VDS (600 V), ID (5 A), RDS (im eingeschalteten Zustand) (2,5 Ω), Verlustleistung (33 W) und Lawinenwiderstand. Die hohe Prüfquote garantiert die Fehlerfreiheit; die Bauteile sind direkt für die Leiterplattenmontage geeignet. Hochspannungs- und Hochleistungsfähigkeit: Anreicherungs-N-Kanal-MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 5 A Dauerstrom und niedriger Durchlasswiderstand von 2,5 Ω. Ideal für Schaltnetzteile, Wechselrichter, Motorantriebe und LED-Treiber. Schnelles Schalten und stabiler Betrieb: Dieser Transistor, entwickelt mit fortschrittlicher planarer DMOS-Technologie, bietet eine geringe Gate-Last, hohe Schaltgeschwindigkeit und exzellente Spannungsänderungsfähigkeit (dv/dt). Er gewährleistet effiziente Leistungswandlung, minimale Wärmeentwicklung und Langzeitstabilität in anspruchsvollen Schaltungen. Standard-TO-220F-Gehäuse und breite Kompatibilität: Standard-TO-220F-Durchsteckgehäuse für einfaches Löten und optimale Wärmeableitung. Ein idealer Ersatz für Dioden der Serie 5N60 in Anwendungen der Industrie-, Haushaltsgeräte-, Beleuchtungs- und Automobilelektronik; wirtschaftlich und zuverlässig. |